RIE反應離子刻蝕機
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CIF推出RIE反應離子刻蝕機，采用RIE反應離子誘導激發(fā)方式，實現(xiàn)對材料表面各向異性的微結(jié)構(gòu)刻蝕。特別適合于大學，科研院所、微電子、半導體企業(yè)實驗室進行介質(zhì)刻蝕、硅刻蝕、金屬刻蝕等方面研究。使用成本低，性價比高，易維護，處理快速高效。適用于所有的基材及復雜的幾何構(gòu)形進行RIE反應離子刻蝕。
更新時間：2024-03-18 16:21:40
產(chǎn)品特點
◆ 7 寸彩色觸摸屏中英文互動操作界面，自動控制監(jiān)測工藝參數(shù)狀態(tài)，20 個配方程序，工藝數(shù)據(jù)可存儲追溯。
◆ PLC 工控機控制整個清洗過程，手動、自動兩種工作模式。
◆ 真空艙體、全真空管路系統(tǒng)采用 316 不銹鋼材質(zhì)，耐腐蝕無污染。
◆ 采用防腐數(shù)字流量計， 實現(xiàn)對氣體輸入精準控制。標配雙路氣體輸送系統(tǒng)， 可選多氣路氣體輸送系統(tǒng)， 可輸入氧氣、氬氣、 氮氣、四氟化碳、氫氣或混合氣等氣體。
◆ 采用花灑式多孔進氣方式，改變單孔進氣不均勻問題。
◆ HEPA 高效過濾，氣體返填吹掃，防止二次污染。
◆ 符合人體功能學的 60 度傾角操作界面設計，操作方便，界面友好。
◆ 采用頂置真空艙，上開蓋設計，下壓式鉸鏈開關方式。
◆ 上置式 360 度水平取放樣品設計，符合人體功能學，操作更方便。
◆ 有效處理面積大，可處理最大直徑 154mm 晶元硅片。
◆ 安全保護，艙門打開，自動關閉電源，機器運行、停止提示。
技術參數(shù)
型號 | RIE200 | RIE200plus |
艙體內(nèi)尺寸 | H38xΦ260mm | H38xΦ260mm |
艙體容積 | 2L | 2L |
射頻電源 | 40KHz | 13.56MHz |
電極 | 不銹鋼氣浴 RIE 電極， Φ200mm | 不銹鋼氣浴 RIE 電極， Φ200mm |
匹配器 | 自動匹配 | 自動匹配 |
刻蝕方式 | RIE | RIE |
射頻功率 | 0-600W 可調(diào)（可選 0-1000W） | 0-300W 可調(diào)（可選 0-600W） |
氣體控制 | 質(zhì)量流量計（MFC）（標配雙路，可選多路）流量范圍 0-500SCCM（可調(diào)） | |
工藝氣體 | Ar、N ?、O ?、H ?、CF4、CF4+ H2、CHF3 或其他混合氣體等（可選） | |
最大處理尺寸 | Φ154mm | |
產(chǎn)品尺寸 | L520xW600xH420mm | |
包裝尺寸 | L700xW580xH490mm | |
時間設定 | 9999 秒 | |
真空泵 | 抽速約 8m3/h | |
氣體穩(wěn)定時間 | 1 分鐘 | |
極限真空 | =1Pa | |
電源 | AC220V 50-60Hz，802（1202）502（802）W 所有配線符合《低壓配電設計規(guī)范 GB50054-95》、《低壓配電裝置及線路設計規(guī)范》等國標標準相關規(guī)定。 | |
整機重量 | 38kg | |
備注： 可選：1、冷卻循環(huán)水器：溫度控制范圍 -20-100℃;
2、分子泵：分子泵抽速 85L/s（N2）極限真空：LF<8*10-6Pa，CF<8*10-7Pa。